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      • 第三代
        半導(dǎo)體測(cè)試家族
        Third generation semiconductor testing family
        首頁 產(chǎn)品中心 半導(dǎo)體測(cè)試 功率器件測(cè)試系統(tǒng)
        分類
        QT-3101 UIL 雪崩測(cè)試

        QT-3101 UIL 雪崩測(cè)試適用于測(cè)試 MOSFET、IGBT、二極管的雪崩參數(shù)



        支持雙DIE

        快速充電

        失效波形保存

        鉗壓功能

        型號(hào) QT-3101 UIL
        產(chǎn)品優(yōu)勢(shì) 支持 VDD ON(E=1/2L*I*I*BVDSS/(BVDSS-VDD))或VDD OFF(E=1/2*L*I*I) 測(cè)試
        可與 QT-4100B 共用一臺(tái)電腦,實(shí)現(xiàn)測(cè)試程序和數(shù)據(jù)統(tǒng)一管理
        可設(shè)定單脈沖、多脈沖或者雙 MOSFET 測(cè)試
        輸出電流IDMAX 實(shí)時(shí)測(cè)量監(jiān)控和Energy讀取
        電感內(nèi)阻低,ID充電快,測(cè)試時(shí)間更短
        內(nèi)置示波器
        主要特點(diǎn) ? 輸出測(cè)量能力:最大測(cè)量 BVdss:±3000V 最大輸出 ID:±150V 、±200A
        ? 可編輯 VG MAX:±30V脈寬調(diào)節(jié)(分辨率:1us)
        ? 可編程電感箱負(fù)載 10μH-159.9mH 步進(jìn) 10μH
        ? 可編程分選機(jī)接口信號(hào) 24 個(gè)