




測試主機
GaN Test Kit
Power Device Test Kit
QT-8400 由測試主機與測試站 Test Kit 組成,
其中 Test Kit 分為兩種:Power Device Test Kit & GaN Test Kit。


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Power Device Test Kit
面向 MOSFET/SIC、二極管、三極管等 CP 測試需求的 Power Device Test Kit.
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GaN Test Kit
面向氮化鎵測試需求的 GaN Test Kit.
站坐快速切換
用戶體驗
* 已申請專利
站坐快速切換
用戶體驗
* 已申請專利


QT-8400 GaN |
QT-8400 D |
測試范圍專用于氮化鎵動靜態(tài)電參數(shù)測試 |
測試范圍專用于 MOSFET/SIC 、二極管、三極管、IGBT等 CP測試。 |
參數(shù)指標
懸浮 V/I 源 |
參數(shù)指標
懸浮 V/I 源 |
并行測試數(shù)2/4/8/16 Site |
并行測試數(shù)2/4/8/16 Site |
可擴展動態(tài)模組
LCR測試模組(CG) |
可擴展動態(tài)模組
雪崩測試模組(UIS、EAS) |
可擴展高壓/直流模組最高可擴展8KV, 2KA |
可擴展高壓/直流模組最高可擴展8KV, 2KA |
精準測量GaN Test Kit內置精密測量電路,實現(xiàn)nA級和mΩ級的精準測量。 |
精準測量Power Device Test Kit內置精密測量電路,實現(xiàn)nA級和mΩ級的精準測量。 |

內置示波器圖
AWG編輯器
專為測試&生產而設計



* 已申請專利
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中國廣東省佛山市南海國家高新區(qū)新光源產業(yè)基地光明大道16號 |
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0757 83207313 (銷售) |
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0757 83208786 (銷售) |
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info@powertechsemi.com |


